• 1 晶體生長(cháng)爐産線及檢測方法  
• [發明(míng)專利] CN202211315539.7_  浙江求是半導體設備有限公司 2022年10月(yuè)26日
• 本發明(míng)公開了(le)一種晶體生長(cháng)爐産線，包括：晶體生長(cháng)爐；第一抽濾系統，包括過濾機構和(hé)抽空機構，過濾機構設置在抽空機構和(hé)晶體生長(cháng)爐之間；第二抽濾系統；集塵系統，用(yòng)于清理(lǐ)過濾機構中的(de)氧化(huà)物(wù)；晶體生長(cháng)爐還(hái)用(yòng)于檢測抽空機構的(de)...
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• 2 一種晶體生長(cháng)爐複投送料裝置  
• [發明(míng)專利] CN202211315528.9_  浙江求是半導體設備有限公司 2022年10月(yuè)26日
• 本發明(míng)公開了(le)一種晶體生長(cháng)爐複投送料裝置，送料裝置包括：第一料倉，用(yòng)于盛放矽料；送料機構，用(yòng)于将矽料輸送至晶體生長(cháng)爐中；驅動機構，用(yòng)于驅動送料機構；晶體生長(cháng)爐包括坩埚，坩埚用(yòng)于接收送料機構輸送的(de)矽料，矽料能夠在坩埚...
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• 3 晶體生長(cháng)爐  
• [發明(míng)專利] CN202211315526.X_  浙江求是半導體設備有限公司 2022年10月(yuè)26日
• 本發明(míng)公開了(le)一種晶體生長(cháng)爐，包括：爐體，爐體包括第一爐體和(hé)第二爐體；旋闆閥，旋闆閥包括密封機構和(hé)轉動機構；轉動機構包括連接部和(hé)旋闆軸，密封機構通(tōng)過連接部與旋闆軸連接；轉動機構還(hái)包括第一轉動件和(hé)第二轉動件，第一轉...
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• 4 晶體生長(cháng)爐投料裝置及方法  
• [發明(míng)專利] CN202211315522.1_  浙江求是半導體設備有限公司 2022年10月(yuè)26日
• 本發明(míng)公開了(le)一種晶體生長(cháng)爐投料裝置，包括：晶體生長(cháng)爐；機架；坩埚；投料裝置；原料包括第一體積和(hé)第二體積，第一體積小于第二體積，第一體積的(de)原料投放完畢後，投料裝置投放第二體積的(de)原料；坩埚設置有與其連接的(de)驅動裝置，當...
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• 5 一種解決異常矽棒電阻虛高(gāo)與導電類型反轉的(de)方法  
• [發明(míng)專利] CN202211314922.0_  新美(měi)光(guāng)(蘇州)半導體科技有限公司 2022年10月(yuè)26日
• 本申請涉及半導體領域，涉及一種解決異常矽棒電阻虛高(gāo)與導電類型反轉的(de)方法。異常矽棒爲目标電阻率大(dà)于70歐姆厘米的(de)P型單晶矽棒，且電阻率超過目标電阻率20%或以上。該方法包括：S1：将異常矽棒加熱(rè)至600‑700℃，保溫50‑100mi...
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• 6 成膜設備及其維護方法  
• [發明(míng)專利] CN202211299648.4_  無錫先爲科技有限公司 2022年10月(yuè)24日
• 本申請公開了(le)一種成膜設備及其維護方法，涉及成膜設備相關技術領域。其中，本申請提供的(de)成膜設備包括操作箱、反應器、升降裝置、連接通(tōng)道和(hé)轉運件，操作箱具有操作室，反應器安裝在所述操作室内并包括蓋體、箱體及位于所述蓋體...
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• 7 一種旋轉升降機構和(hé)晶圓加工裝置  
• [實用(yòng)新型] CN202222776630.0_  深圳市新凱來(lái)技術有限公司 2022年10月(yuè)21日
• 本申請提供了(le)一種旋轉升降機構，應用(yòng)于晶圓加工裝置，晶圓加工裝置包括工作腔室和(hé)工作台，工作台用(yòng)于承載待加工的(de)晶圓，旋轉升降機構至少包括旋轉升降杆和(hé)抱閘組件，其中旋轉升降杆相對(duì)于工作腔室可(kě)旋轉設置，用(yòng)于帶動工作台...
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• 8 一種AlN薄膜的(de)制備方法  
• [發明(míng)專利] CN202211289931.9_  至善時(shí)代智能科技(北(běi)京)有限公司至芯半導體(杭州)有限公司 2022年10月(yuè)21日
• 本發明(míng)涉及半導體制備技術領域，尤其涉及一種AlN薄膜的(de)制備方法。本發明(míng)提供的(de)制備方法，包括以下(xià)步驟：在襯底的(de)一側表面依次制備AlN緩沖層、AlN位錯抑制層、AlN覆蓋層和(hé)AlN快(kuài)速生長(cháng)層，得(de)到AlN薄膜；制備所述位錯抑制層的(de)過程...
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• 9 半導體制造設備及方法  
• [發明(míng)專利] CN202211271142.2_  蘇州立琻半導體有限公司材料科學姑蘇實驗室 2022年10月(yuè)18日
• 本發明(míng)涉及半導體生産技術領域，具體公開了(le)一種半導體制造設備及方法，該半導體制造設備包括真空反應腔體和(hé)控制器；真空反應腔體内設置有反應氣體的(de)噴淋組件、反應台和(hé)膜厚監測組件；控制器能獲取膜厚監測組件測得(de)反應台上...
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• 10 一種AlN薄膜及其制備方法和(hé)應用(yòng)  
• [發明(míng)專利] CN202211263742.4_  至芯半導體(杭州)有限公司 2022年10月(yuè)17日
• 本發明(míng)提供了(le)一種AlN薄膜及其制備方法和(hé)應用(yòng)，屬于半導體薄膜材料技術領域。本發明(míng)在凹槽内生長(cháng)AlN，使得(de)AlN形成若幹個(gè)“圍壩”，後續生長(cháng)AlN過程中AlN優先集中在“圍壩”的(de)四周和(hé)頂部生長(cháng)，随著(zhe)AlN生長(cháng)厚度的(de)增加，不同區(qū)域的(de)A...
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