• 1 聲波感測結構的(de)制作方法  
• [發明(míng)專利] CN202211255566.X_  蘇州敏芯微電子技術股份有限公司 2022年10月(yuè)13日
• 本發明(míng)提供了(le)一種聲波感測結構的(de)制作方法，旨在通(tōng)過将至少兩個(gè)膜層結構制作于基于基底蝕刻後與基底外側的(de)氧化(huà)層所形成的(de)空腔中，并且位于空腔内的(de)所述至少兩個(gè)膜層結構中的(de)各個(gè)膜層結構之間平行且間隔設置。相較于傳統的(de)...
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• 2 一種全固态MEMS電場(chǎng)傳感器、制備方法及工作方法  
• [發明(míng)專利] CN202211243986.6_  中國礦業大(dà)學 2022年10月(yuè)12日
• 本公開提供一種全固态MEMS電場(chǎng)傳感器、制備方法及工作方法，所述全固态MEMS電場(chǎng)傳感器可(kě)實現對(duì)靜态電場(chǎng)/交流電場(chǎng)的(de)檢測，對(duì)靜态電場(chǎng)進行測量時(shí)可(kě)自動識别電場(chǎng)方向。所述全固态MEMS電場(chǎng)傳感器包括一個(gè)屏蔽極闆、傳感極闆、屏...
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• 3 一種高(gāo)度集成的(de)MEMS傳感器封裝結構及其封裝方法  
• [發明(míng)專利] CN202211163335.6_  華天科技(南(nán)京)有限公司 2022年9月(yuè)23日
• 本發明(míng)公開了(le)一種高(gāo)度集成的(de)MEMS傳感器封裝結構及其封裝方法，該封裝結構包括由若幹個(gè)基闆圍成的(de)空腔，空腔内設若幹芯片和(hé)/或電子元器件，空腔上開設氣孔，空腔内外氣壓相同。本發明(míng)中，采用(yòng)三層基闆壓合工藝得(de)到封裝結構且...
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• 4 MEMS壓力傳感器的(de)封裝結構及方法  
• [發明(míng)專利] CN202211151573.5_  無錫芯感智半導體有限公司 2022年9月(yuè)21日
• 本申請公開了(le)一種MEMS壓力傳感器的(de)封裝結構及方法，所述MEMS壓力傳感器的(de)封裝結構包括：底座，與膜片形成密封腔體，所述密封腔體内部設有傳感介質及壓力傳感芯片，當外界壓力增大(dà)時(shí)，所述膜片向所述密封腔體的(de)内側彎曲，以使...
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• 5 MEMS壓力傳感器的(de)封裝結構及方法  
• [發明(míng)專利] CN202211151572.0_  無錫芯感智半導體有限公司 2022年9月(yuè)21日
• 本申請公開了(le)一種MEMS壓力傳感器的(de)封裝結構及方法，所述MEMS壓力傳感器的(de)封裝結構包括：膜片，與底座形成密封腔體，所述密封腔體内部設有傳感介質及壓力傳感芯片，當外界壓力增大(dà)時(shí)，所述膜片向所述密封腔體的(de)内側彎曲，以使...
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• 6 一種傳感器及其制備方法  
• [發明(míng)專利] CN202211140378.2_  南(nán)京新力感電子科技有限公司 2022年9月(yuè)20日
• 本發明(míng)提供一種傳感器及其制備方法，該傳感器設置玻璃基底、由玻璃基底向外延伸出的(de)應力隔離層以及由應力隔離層朝遠(yuǎn)離玻璃基底方向延伸出的(de)敏感元件，由于應力隔離層的(de)剛度低于玻璃基底和(hé)敏感元件的(de)剛度，因此玻璃基底一側...
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• 7 一種用(yòng)于MEMS器件封裝的(de)超深孔TSV電鍍溶液  
• [發明(míng)專利] CN202211132035.1_  珠海市創智成功科技有限公司 2022年9月(yuè)16日
• 本發明(míng)公開了(le)一種用(yòng)于MEMS器件封裝的(de)超深孔TSV電鍍溶液，該電鍍溶液由硫酸銅、硫酸、氯離子、複合加速劑、複合濕潤劑、複合整平劑、協助劑和(hé)絡合劑組成，按一定質量濃度比例形成均一的(de)混合溶液。本發明(míng)提供的(de)TSV電鍍溶液不僅具...
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• 8 一種新型框架MEMS芯片封裝方法及其産品  
• [發明(míng)專利] CN202211113421.6_  華天科技(西安)有限公司 2022年9月(yuè)14日
• 本發明(míng)公開了(le)一種新型框架MEMS芯片封裝方法及其産品，該方法包括以下(xià)步驟：1)将MEMS芯片和(hé)控制芯片安裝于基材框架上，所述MEMS芯片的(de)感應區(qū)域朝上放置；2)将MEMS芯片和(hé)控制芯片與基材框架之間以及MEMS芯片和(hé)控制芯片之間進...
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• 9 一種基于Pd修飾二氧化(huà)钛納米材料的(de)氫氣MEMS氣體傳感器的(de)制備及其産品和(hé)應用(yòng)  
• [發明(míng)專利] CN202211101242.0_  上海納米技術及應用(yòng)國家工程研究中心有限公司 2022年9月(yuè)9日
• 本發明(míng)公開一種基于Pd修飾二氧化(huà)钛納米材料的(de)氫氣MEMS氣體傳感器的(de)制備方法及其産品和(hé)應用(yòng)，通(tōng)過水(shuǐ)熱(rè)方法TiO2分(fēn)散液，然後向TiO2分(fēn)散液加入PdCl2，采取冷(lěng)凍幹燥技術将樣品幹燥，在氫氩混合氣氛圍下(xià)熱(rè)處理(lǐ)後得(de)到Pd修飾TiO2...
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• 10 一種基于折紙結構的(de)MEMS電感  
• [發明(míng)專利] CN202211096989.1_  東南(nán)大(dà)學 2022年9月(yuè)8日
• 本發明(míng)公開了(le)一種基于折紙結構的(de)MEMS電感，包括襯底，第一輸入/輸出微帶線、第二輸入/輸出微帶線、折紙結構固定點、金屬電感結構、絕緣結構、熱(rè)驅動梁位移放大(dà)結構、電感絕緣結構、向上折疊節點、向下(xià)折疊節點、折疊區(qū)絕緣結構、接...
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